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　　目前市面上有很多全閃存存儲陣列，所有人都震驚于它們的速度和容量，而這樣的性能參數(shù)還在層出不窮。

　　如今全閃存存儲陣列主要有四種類型（當(dāng)然這在幾個月后也可能發(fā)生變化），每一種在市面上都有自己的定位。這四種類型如下：

　　傳統(tǒng)存儲陣列

　　在處理支持固態(tài)技術(shù)以獲得最佳性能所必需的性能特性和管理方面，傳統(tǒng)存儲陣列的控制器一直沒有改變。它們支持HDD規(guī)格的SSD，并且將SSD僅當(dāng)作HDD。這意味著在寫臨界（write cliff）真的出現(xiàn)的時候，性能下降將更加嚴(yán)重。

　　這些傳統(tǒng)存儲陣列解決方案可以為性能提升提供較低的響應(yīng)時間，但是性能的瓶頸很快發(fā)生在存儲控制器。這些陣列通常顯示出1倍于使用HDD的同樣陣列的性能（視工作負(fù)載而定），延時略低于1毫秒。

　　注：什么是寫臨界（write cliff）？當(dāng)閃存驅(qū)動器的所有單元都至少被寫入一次后，下一個寫請求到達(dá)設(shè)備的時候，讀、擦除、寫（read-erase-write）操作必將發(fā)生，也將造成性能下降。當(dāng)標(biāo)注在曲線上的時候，性能的急速下降看上去像是一道懸崖。

　　重新構(gòu)建的傳統(tǒng)存儲陣列

　　一些專門設(shè)計用于支持復(fù)制、重復(fù)數(shù)據(jù)刪除和自動精簡配置等特性的傳統(tǒng)存儲控制器廠商重新構(gòu)建其控制器并且定制ASICs。這使控制器能夠支持固態(tài)技術(shù)特有的行為和性能，同時繼續(xù)向客戶提供已經(jīng)習(xí)慣的高級特性。

　　與使用HDD的同陣列相比，這些陣列的平均性能（視工作負(fù)載而定）有接近5倍的性能提升，延時大約500至800微秒。將存儲控制器重新構(gòu)建用作全閃存陣列的產(chǎn)品包括HP公司的 StoreServ 7450和NetApp公司的EF550閃存陣列。

　　定制閃存模塊設(shè)計

　　有些廠商通過創(chuàng)建定制的閃存模塊設(shè)計來處理元數(shù)據(jù)管理和垃圾收集之類的閃存技術(shù)所特有的整理工作，使這種重新構(gòu)建的傳統(tǒng)存儲陣列更進(jìn)一步。這些定制設(shè)計的閃存模塊內(nèi)部的通訊基于PCIe。這種陣列設(shè)計是重新構(gòu)建的存儲控制器高性能和高級特性的完美平衡。但是折衷在于：這是一種專有設(shè)計，商品SSD不能替換壞的設(shè)備。

　　平均性能提升5-10倍（使用超過90%的容量）于使用HDD的陣列，延時大約500微秒，視工作負(fù)載而定。

　　這種全閃存陣列出自日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)（Hitachi Data Systems，HDS）。這種設(shè)計的有趣之處在于其靈活支持包括SAN和NAS解決方案等各種配置的統(tǒng)一存儲系統(tǒng)（unified storage family）。

　　構(gòu)建的全閃存陣列

　　這些陣列專門為閃存技術(shù)從頭開始構(gòu)建。它們對影響垃圾收集的元數(shù)據(jù)管理和緩沖算法尤其積極。這些陣列目前僅提供拷貝技術(shù)等高級特性，但有些廠商提供聯(lián)機(jī)的數(shù)據(jù)縮減和存儲效率技術(shù)。廠商目前提供橫向擴(kuò)展架構(gòu)而非縱向擴(kuò)展架構(gòu)，對內(nèi)存數(shù)據(jù)庫更具吸引力。通常，性能（視工作負(fù)載而定）約提升10倍（使用超過90%的容量），延時低至200微秒。專門定制存儲陣列作為內(nèi)置重復(fù)數(shù)據(jù)刪除、壓縮以及自動精簡配置等高級數(shù)據(jù)縮減特性的全閃存陣列廠商包括：Pure Storage、EMC XtremIO和Solid Fire。Solid Fire也實(shí)施橫向擴(kuò)展架構(gòu)。

　　全閃存存儲陣列不斷發(fā)展和成熟。在選擇全閃存陣列的時候，要仔細(xì)考慮存儲控制器是否現(xiàn)有的設(shè)計，是否為閃存重新構(gòu)建，是否專門定制來處理閃存特有的行為和性能。