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Micro LED顯示器的基礎(chǔ) — 磊晶及芯片

 LEDinside最新的《2019 Micro LED次世代顯示器關(guān)鍵報(bào)告》指出,Micro LED 技術(shù)不只亮度與對(duì)比效果超越 OLED,也同時(shí)具備反應(yīng)迅速、低功耗與高可靠度特性,為移動(dòng)與汽車應(yīng)用帶來(lái)新的可能。

然而,由于生產(chǎn)制程復(fù)雜,Micro LED顯示屏幕的良率始終難以提升,且生產(chǎn)成本也仍高居不下,減緩了商業(yè)化的腳步。而其中一個(gè)挑戰(zhàn),便是Micro LED 芯片的質(zhì)量。如果Micro LED芯片的質(zhì)量夠好,便能提升整體良率,也降低后續(xù)分選及檢測(cè)修復(fù)階段所需的時(shí)間成本。

Micro LED是微小化的 LED 芯片,因此對(duì)于磊晶晶圓在波長(zhǎng)一致性與低瑕疵率的要求非常高。為達(dá)成Micro LED的需求,MOCVD 技術(shù)供應(yīng)商便成為Micro LED晶圓階段的重要角色。

MOCVD技術(shù)設(shè)備廠商與芯片廠合力發(fā)展 Micro LED 芯片

MOCVD 技術(shù)供應(yīng)商AIXTRON與Veeco持續(xù)提升自家技術(shù),以符合Micro LED技術(shù)的需求。AIXTRON表示,他們能夠在6英寸晶圓片上,將瑕疵率降到每平方公分低于0.15。而在波長(zhǎng)一致性方面,與傳統(tǒng)LED所需的8-10 nm要求相比,Veeco的技術(shù)可以達(dá)成3-5nm的一致性。

這兩家設(shè)備廠商也分別與LED芯片廠商密切合作,結(jié)合芯片廠商的技術(shù),共同提升 Micro LED 芯片的效率與質(zhì)量,加速生產(chǎn)放量。Veeco與德國(guó)Micro LED技術(shù)廠商ALLOS合作,已可穩(wěn)定產(chǎn)出200 nm 氮化鎵硅晶圓磊芯片。Veeco也與法國(guó)的Aledia合力研發(fā)應(yīng)用于顯示器的3D Micro LED。

此外,AIXTRON也分別提供MOCVD設(shè)備給中國(guó)臺(tái)灣錼創(chuàng)及英國(guó)廠商Plessey生產(chǎn) Micro LED芯片。AIXTRON在今年一月宣布與錼創(chuàng)簽訂Micro LED的生產(chǎn)合作協(xié)議。而錼創(chuàng)則提供Micro LED芯片給三星與天馬的Micro LED顯示器

AIXTRON的MOCVD設(shè)備

Plessey則采用AIXTRON的MOCVD技術(shù)生產(chǎn)用于Micro LED的氮化鎵硅晶,也在今年的Display Week上展出應(yīng)用于 AR設(shè)備的 Micro LED 顯示器

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